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MPCVD单晶金刚石生长机器设备

微波等离子体化学气相沉积 (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition )是高效、高质量制备金刚石的首选方法,打破了设备对 衬底尺寸的限制,为大面积单晶金刚石生长提供条件。

关键词:标准漏孔 | MPCVD | 电容薄膜规真空计 | 高低真空校准装置 | 氦漏孔校准装置

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微波等离子体化学气相沉积

Microwave Plasma CVD system

微波等离子体化学气相沉积 (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition )是高效、高质量制备金刚石的首选方法,打破了设备对 衬底尺寸的限制,为大面积单晶金刚石生长提供条件。

MPCVD单晶金刚石生长技术一般采用金属腔体,由于其微波能量无污染、气体原料纯净、没有催化剂和杂质的掺入等优势,使得金刚石的质量得到改善,成为高品质单晶金刚石最有发展前景的技术之一,大大拓展了金刚石材料在高新技术领域的应用潜力。

设备特点

• 全自动工控界面、支持远程操控.

• 一键式开关机,实现无人值守.

• 自动非接触式远红外测温.

• 选用进口微波器、水路全监测.

• 可选用无油真空泵加分子泵.

• 使用高精度气体质量流量计,高可靠性稳定的压力控制系统.

• 反应可控,能长时间稳定工作在6KW

• 高功率高密度等离子体稳定在离石英窗一定位置,减少硅的污染

应用

• 高效导热材料.

• 新型半导体材料.

• 新型刀具、模具、磨料.

• 人工培育钻石.

• 光学镜片

• 量子传感器/NV色心量子器件

• 纳米金刚石材料

• 第四代半导体材料

项目名称

标准配置

选装配置

微波源

SAIRREM/MUEGGE

高温计

SA-D30160A

Williamson

抽空设备

DRV-16

DRV-16+FF150

极限真空

≤5E-1Pa

≤5E-5Pa

输入气体

4路标准生长气体

可定制多路混合及掺杂气体

工作台尺寸

60mm

压力控制范围

500~50000 Pa

工控界面

工控机全自动控制带远程操作监测

设备整体漏率

优于1E-12Pa·m3/s

设备尺寸

1500*850*1700

设备重量

500kg

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